【2025最新版】KOKUSAI ELECTRIC(6525)徹底分析|将来性、ALD×HBM・3D NANDの成長ドライバー

金融

KOKUSAI ELECTRIC(以下、コクサイエレ)は、原子層堆積(ALD)や低圧CVD、各種トリートメント装置に強みを持つ前工程装置メーカーです。
とりわけ「バッチ式ALD×単枚トリートメント」という二枚看板で、3D NANDの層数拡大、HBMを中心とした先端DRAM、そしてGAA(Gate-All-Around)へ移行する先端ロジックの量産課題に答えています。
本記事では、同社の競争優位がどこから生まれ、どのようなリスクで毀損し得るのかを、構造と因果のレベルまで掘り下げて整理します。
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なぜこのタイミングで分析を行う意味があるのか

直近決算でアプリ別(NAND/DRAM/ロジック)や地域別(中国/非中国)のミックスが明確になり、通期計画は下期偏重を前提に据え置かれました。
また、業界では2025年に向けてWFE(前工程装置)市場が過去最高圏で推移する見方が優勢です。
こうした「量と方向」が見えやすい局面は、同社の勝ち筋(何を伸ばすか)弱点(何に揺さぶられるか)を言語化するベストタイミングです。

  • 短期:NAND回復と先端DRAM(HBM)投資を取り込み、H2(下期)で台数・構成が改善
  • 中期:GAA/CFETを見据えた成膜・改質ニーズの増大で、ALDの構造的需要が続く
  • 留意:対中規制や関税動向で出荷タイミングが変動し得る(地域ミックスのボラ)

分析対象の概要

コクサイエレは、装置(成膜・熱処理)とサービス(保守・パーツ・レトロフィット)の二本柱。上場後は生産能力増強と顧客接点強化を加速し、インストールベースの拡大=サービス売上の粘着性を高めています。
歴史的にも成膜分野に尖り、買収提案などを経て現在は独立性を保ちつつ、世界の大手メモリ/ロジック顧客と深い関係を築いています。

  • プロダクト:バッチ式ALD/LP-CVD、単枚(プラズマ)トリートメント、アニール等
  • 収益構造:装置売上に加え、サービスが安定キャッシュ源として粗利を下支え
  • 顧客層:大手メモリ、先端ロジック/ファウンドリ、中国ローカルも含む広範な裾野

事業内容と業界動向

多層化・微細化が進む過程で、配線溝や三次元構造の隅々まで均一に膜を成長させるALDの価値は年々高まっています。
NANDは層数増に伴い被覆性・段差被覆の要件が厳格化、HBM対応DRAMは熱バジェットや欠陥管理の難度が上がり、ロジックはGAA移行でゲート周りの均一性が品質と歩留まりを左右します。
これらはすべて、成膜とトリートメントの“質”がボトルネック化しやすい領域です。

  • NAND:3D積層の継続拡大→バッチALDのスループット優位が効く
  • DRAM:HBM立ち上げで層間欠陥と均一性の管理が厳格化
  • ロジック:GAAでチャネル周辺の面内均一性・コンフォーマル性要求が上昇
  • 地域:投資額は中国が大きい一方、規制影響によるタイミングのブレが大きい

SWOT分析(強み・弱み・機会・脅威)

強み

  • ニッチトップ:バッチALDで世界上位の存在感。歩留まり×スループットの両立
  • サービスの粘り:インストールベース拡大で不況期でも粗利が崩れにくい
  • 顧客密着:量産現場でのプロセス・改造提案力(POR獲得→量産導入を加速)

弱み

  • ポートフォリオの狭さ:露光・計測・エッチング等を持つ総合勢に比べ守備範囲が限定
  • 地域ボラ:中国比率の振れが四半期の収益変動を増幅
  • 能力増強フェーズ:新拠点・人員強化で固定費の先行負担が発生

機会

  • HBM×GAA×3D NAND:構造変化の中心に「良い成膜・改質」がある
  • レトロフィット:改造・部品置き換えで既存装置の性能を底上げ、粗利率が高い
  • 地域ミックス改善:非中国の先端投資回復で収益性の底上げ余地

脅威

  • 対中規制/関税:出荷対象・時期の変動リスク
  • 中国ローカル装置の台頭:バッチ拡散/CVDなど隣接領域で競争激化
  • 為替・サイクル:メモリ価格や投資サイクルの反動局面

競合他社との主要な財務指標比較(参考)

※おおまかな目安(直近公表値ベース)。詳細は各社IR・決算資料をご確認ください。

企業 ティッカー 主力領域 PER(参考) 営業利益率(参考) ひとこと
KOKUSAI ELECTRIC 6525(東証) バッチALD/トリートメント 高10倍台〜低20倍 20%台前半 ニッチで厚い堀+サービスの粘着性
東京エレクトロン 8035(東証) 前工程総合 高10倍台〜20倍 20%後半 広いポートフォリオと規模の経済
SCREEN 7735(東証) 洗浄・コータデベロッパ等 10倍前後 20%前後 高効率・高品質で存在感
Applied Materials AMAT(NASDAQ) 前工程総合 20倍前後 30%前後 規模と総合力による厚い利益体質
Lam Research LRCX(NASDAQ) エッチング・成膜 20倍台 30%超 先端DRAM/NAND向けで強い

セクター比較

半導体製造装置セクターは、AI需要の本格化に伴いHBM(先端DRAM)と3D NANDが牽引役。
米大手は30%前後の営業利益率が目安、日本大手は20%台前半がボリュームゾーンです。
コクサイエレは中位〜上位の収益性を確保しつつ、サービス売上の比率上昇でディフェンシブ性を強化しています。

  • 投資ドライバー:HBM増産、GAA移行、NAND層数拡大、SiCパワー
  • 評価軸:営業利益率、受注残、サービス比率、地域ミックス
  • 注目KPI:ブック・トゥ・ビル(受注/売上)、粗利率、POR獲得スピード

今後の戦略と展望の分析

同社が掲げる中計のコアは、「WFE成長率を上回る売上成長」「調整後OPMの段階的引き上げ」です。
製品面ではミニバッチALDや単枚トリートメントの深掘り、用途面ではNAND/DRAM/先端ロジックのバランス最適化、事業面ではサービスの継続伸長を三位一体で進めます。
砺波の新工場による生産性向上と米国デモセンターの稼働は、供給能力×POR獲得の同時強化という意味で戦略的です。

  • ミックス戦略:非中国の先端投資回復で地域ミックス改善→粗利率の底上げ
  • 製品ロードマップ:GAA/将来CFETまで見据えた成膜・改質プロセスの高度化
  • サービス戦略:レトロフィット/改造提案の標準化で粗利確保と顧客粘着度を強化
  • 投資計画:拠点強化や設備投資は先行負担も、量産期に営業レバレッジを発揮

FY26/3は下期偏重で会社計画線上、FY27/3以降はNAND回復と先端DRAMの両輪がかみ合い、OPM30%台への接近余地
ただし、対中規制や関税再燃、成熟ロジックの鈍さが下振れシナリオの要因となり得ます。

投資家にとってのメリットとリスク

メリット

  • 構造的追い風:HBM・GAA・3D NANDという「成膜が効く」テーマが継続
  • 高収益モデル:サービス比率の上昇でキャッシュ創出のボラを低減
  • 顧客密着:量産現場の課題に即した提案力でPOR獲得と立ち上げ速度を向上

リスク

  • 地政学・規制:対中規制や関税で出荷時期/対象が変動
  • 競争:総合装置大手や中国ローカルの追い上げ(価格×技術の両面)
  • 為替・サイクル:メモリ価格の反動、円高局面での採算圧迫

まとめ

コクサイエレは、「装置の尖り(バッチALD・トリートメント)×サービスの粘り」で中位〜上位の収益性を維持する優良ニッチです。
現下の波であるNAND回復+HBM拡張にプロダクトが合致し、地域ミックスが改善すればマージン階段をもう一段上げられる公算が高いと見ます。
一方で、政策リスクや中国依存のボラ、ポートフォリオの狭さは常に点検が必要です。

  • 毎決算でアプリ別・地域別ミックスサービス比率を確認
  • 砺波新工場の稼働度受注・B/Bの積み上がりを追跡
  • セクターではPER・OPM・受注残をAMAT/LRCX/TEL/SCREENと相対評価

免責事項:本記事は情報提供を目的としたものであり、特定銘柄の売買を推奨するものではありません。数値・見解は執筆時点の公表情報をもとにした目安であり、将来の成果を保証するものではありません。

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